G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
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Technische Details G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote G3R350MT12D nach Preis ab 4.98 EUR bis 11.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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G3R350MT12D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 12nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 16A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A On-state resistance: 0.35Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R350MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V |
auf Bestellung 8548 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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G3R350MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 4587 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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G3R350MT12D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R350MT12D Produktcode: 199077 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| G3R350MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G3R350MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R350MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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