G3R350MT12J

G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor


g3r350mt12j.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Technische Details G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V.

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G3R350MT12J G3R350MT12J Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 75W
Case: TO263-7
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On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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G3R350MT12J G3R350MT12J Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
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G3R350MT12J G3R350MT12J Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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10+ 11.88 EUR
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