G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 78.57 EUR |
| 10+ | 72.07 EUR |
| 25+ | 69.65 EUR |
| 100+ | 66.12 EUR |
| 250+ | 63.89 EUR |
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Technische Details G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 438W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 438W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote G3R45MT17D nach Preis ab 36.59 EUR bis 84.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 45mO TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 109-123 Tag (e) |
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G3R45MT17D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 438W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |