G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 79.4 EUR |
| 10+ | 72.86 EUR |
| 25+ | 70.42 EUR |
| 100+ | 66.86 EUR |
| 250+ | 64.61 EUR |
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Technische Details G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V, Power Dissipation (Max): 438W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote G3R45MT17K nach Preis ab 30.08 EUR bis 100.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 45mO TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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G3R45MT17K | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17K THT N channel transistors |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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