G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 207W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote G3R75MT12D nach Preis ab 10.59 EUR bis 25.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 207W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V |
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G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
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G3R75MT12D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 207W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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G3R75MT12D Produktcode: 177791 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R75MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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