GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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GB02SLT12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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GB02SLT12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier |
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