GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V.
Weitere Produktangebote GB05MPS17-247
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GB05MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.7KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GB05MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.7KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
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GB05MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V |
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