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GB35XF120K IR


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Technische Details GB35XF120K IR

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 284W, Package / Case: ECONO2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, IGBT Type: NPT, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 284 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.475 nF @ 30 V.

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GB35XF120K Hersteller : IR GB35XF120K.pdf 35A/1200V/IGBT
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GB35XF120K Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 50A 284W
Package / Case: ECONO2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 284 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.475 nF @ 30 V
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