GBJ10M

GBJ10M

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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Technische Details GBJ10M

Description: 10A -1000V - GBJ - BRIDGE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Part Status: Active, Supplier Device Package: GBJ(5S), Technology: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-SIP, KBJ, Packaging: Bag.

Preis GBJ10M ab 0 EUR bis 0 EUR

GBJ10M
Hersteller: DC COMPONENTS
Material: GBJ10M Flat single phase diode bridge rectif.
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GBJ10M
Hersteller: DC COMPONENTS
Material: GBJ10M Flat single phase diode bridge rectif.
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GBJ10M
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
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GBJ10M
Hersteller: DC Components
10A, 1000V
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GBJ10M
Hersteller: SURGE
Description: 10A -1000V - GBJ - BRIDGE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Packaging: Bag
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