GBJ35M GeneSiC Semiconductor
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|---|---|
| 7+ | 8.11 EUR |
| 10+ | 6.4 EUR |
| 25+ | 5.85 EUR |
| 100+ | 5.07 EUR |
| 200+ | 4.6 EUR |
| 600+ | 4.29 EUR |
| 1000+ | 3.98 EUR |
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Technische Details GBJ35M GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| GBJ35M | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GBJ35M | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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