GBL08-E3/51 Vishay General Semiconductor
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Technische Details GBL08-E3/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Weitere Produktangebote GBL08-E3/51
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GBL08-E3/51 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case GBL Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GBL08-E3/51 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case GBL Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GBL08-E3/51 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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