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IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Produktcode: 32408 		IR IRG4PF50WPBF.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 55
Ic 100: 27
Pd 25: 200
auf Bestellung 104 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.98 EUR
SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul
Produktcode: 108613 		China skpiip35nab12t4v1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 81,4x58,5x15,8 mm
Vces: 1200 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 69
Ic 100: 56
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 60/370
verfügbar: 2 Stück
TLP185(GB-TPR,SE) TLP185(GB-TPR,SE)
Produktcode: 123320 		Toshiba tlp185_datasheet.pdf IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 1 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/80 mA
U ausg, V: 80 V
Ton/Toff, µs: 5/9 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
auf Bestellung 111 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet
TLP281GB-TP[F] TLP281GB-TP[F]
Produktcode: 107574 		Toshiba datasheet-toshiba-opto.pdf IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 2.5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 80
Ton/Toff, µs: -
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
verfügbar: 498 Stück
erwartet: 1 Stück
TLP291GB-TP.SE[T TLP291GB-TP.SE[T
Produktcode: 100574 		Toshiba tlp291-datasheet.pdf IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 3,75 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/
U ausg, V: 80 V
Ton/Toff, µs: 3/3 µs
auf Bestellung 1177 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SMD-LX5050RGB-TR SMD-LX5050RGB-TR LUMEX SMD-LX5050RGB-TR.pdf Category: SMD colour LEDs
Description: Programmable LED; SMD; 5050; RGB; 5x5x1.5mm; 120°; 5V; 5mA
Type of diode: programmable LED
Mounting: SMD
Case: 5050
LED colour: RGB
Dimensions: 5x5x1.5mm
Viewing angle: 120°
LED current: 5mA
Wavelength: 470nm; 520nm; 630nm
LED lens: transparent
Luminosity of red colour: 125mcd
Luminosity of blue colour: 50mcd
Luminosity of green colour: 270mcd
Front: flat
Operating voltage: 5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
116+ 0.62 EUR
145+ 0.49 EUR
184+ 0.39 EUR
195+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
66+ 1.09 EUR
100+ 0.72 EUR
107+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.9 EUR
43+ 1.69 EUR
51+ 1.42 EUR
54+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
39+ 1.84 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50N03S207G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
72+ 1 EUR
77+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 65
TLP185(GB-TPL,SE(T TLP185(GB-TPL,SE(T TOSHIBA TLP185(GB-TPL,SE(T.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 80V
Case: SO6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
237+ 0.3 EUR
325+ 0.22 EUR
344+ 0.21 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 157
TLP292(GB-TPL.E(T TLP292(GB-TPL.E(T TOSHIBA TLP292.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V; SO4; 50mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Collector-emitter voltage: 80V
Case: SO4
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Collector current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
93+ 0.77 EUR
158+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 58
TLP293-4(V4GBTPE(T TLP293-4(V4GBTPE(T TOSHIBA TLP293-4.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V; SO16; 50mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Insulation voltage: 3.75kV
Collector-emitter voltage: 80V
Case: SO16
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Collector current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
51+ 1.42 EUR
65+ 1.11 EUR
69+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 45
TLP785(GB-TP6.F(C TLP785(GB-TP6.F(C TOSHIBA TLP785-D4-GR.F-C.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 80V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 80V
Case: DIP4LF6
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
307+ 0.23 EUR
407+ 0.18 EUR
414+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
WMGBTKF12 WMGBTKF12 SONEL WMGBTKF12.PDF Category: Phase Sequence Indicators
Description: Tester: phase sequence; 120÷690VAC; Freq: 10÷70Hz; IP42
Type of tester: phase sequence
Phase-to-phase voltage range for phase sequence indication: 120...690V AC; 120...690V AC
Operating frequency: 10...70Hz
IP rating: IP42
Conform to the norm: CAT III 600V; EN 61010
Power supply: from tested wiring system
Measuring instrument features: 760 V AC max. phase-to-phase operating voltage; indicates phase sequence; neon-LED display; operates in 10Hz...70Hz power systems; voltage indicator individual for each phase
Standard equipment: crocodile clips; set of test leads (red, black and yellow)
Body dimensions: 132x73x32mm
Weight without batteries: 162g
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+121.85 EUR
WMGBTKF12L WMGBTKF12L SONEL Category: Phase Sequence Indicators
Description: Tester: phase sequence; 35÷690VAC; Freq: 10÷70Hz; IP42
Type of tester: phase sequence
Phase-to-phase voltage range for phase sequence indication: 35...690V AC; 35...690V AC
Operating frequency: 10...70Hz
IP rating: IP42
Conform to the norm: CAT III 600V; EN 61010
Power supply: from tested wiring system
Measuring instrument features: 760 V AC max. phase-to-phase operating voltage; indicates phase sequence; neon-LED display; operates in 10Hz...70Hz power systems; voltage indicator individual for each phase
Body dimensions: 130x72x31mm
Weight without batteries: 200g
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+153.97 EUR
WMGBTKF13 WMGBTKF13 SONEL WMGBTKF13.PDF Category: Phase Sequence Indicators
Description: Tester: phase sequence; 120÷690VAC; 2÷70Hz; IP42; -10÷45°C
Type of tester: phase sequence
Phase-to-phase voltage range for phase sequence indication: 120...690V AC; 120...690V AC
Frequency measuring range: 2...70Hz
IP rating: IP42
Power supply: battery 6F22 9V x1
Conform to the norm: CAT III 600V; EN 61010
Operating temperature: -10...45°C
Optional equipment: adapter for three phase sockets; cover
Measuring instrument features: 760 V AC max. phase-to-phase operating voltage; automatic power-off; can operate in 2Hz...70Hz wiring systems; detects magnetic fields; indicates phase sequence (direction of field rotation); indicates rotation direction of motors: by means of test leads in state without voltage, contactless during motor operation; neon-LED display
Standard equipment: 3 pointed electrodes; crocodile clips; test leads
Battery/ rechargeable battery: battery 6F22 9V x1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+209.92 EUR
AOK30B135W1; IGBT+ Diode; 30A; 1350V; 340W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AOK60B60D1; IGBT; With Diode; 60A; 600V; 417W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLP250F; (DIP-8); Оптрон; драйвер IGBT; Ток коллектора: 1,5А; Toshiba
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
YGW75N65FP; Trench Field Stop IGBT+ diode; 75A; 650V; 500W; Корпус: TO-247; LUXIN-SEMI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DSO-TC3 осциллограф FNIRSI+ тестер компонентов
+4
 		DSO-TC3 осциллограф FNIRSI+ тестер компонентов
Produktcode: 193898 		FNIRSI TC3_product_manual.pdf Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тестер напівпровідників
Beschreibung: Одноканальний осцилограф: смуга пропускання: 500Khz. Швидкість вибірки: 10MSa/s. Вертикальна розгортка: 10mV-10V. Горизонтальна розгортка: 1µF-10s. Тестер: транзисторів NPN і PNP, конденсаторів до 100mF, резисторів до 50MOhm, діодів, тріодів, N-канальних та P-канальних MOSFET, IGBT, JFET, MIOSTET, симісторів, полярність акумуляторів (батарейок) до 4,5В. Виявлення форм інфрачервоних хвиль, DS18b20, DHT1, постійна напруга до 40V. Дисплей: кольоровий 2,4-дюймовий екран TFT. Генератор сигналів різної форми до 100KHz. Живлення: літієвий акумулятор/USB type-C. Розмір виробу: 103x79x31мм
500 kHz
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
10 Stück - erwartet 21.06.2024
EYG-R0912ZLGD EYG-R0912ZLGD
Produktcode: 177333 		AYA0000C50-1129407.pdf Isoliermaterialien
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Noyafa NF-521 тепловизор
+6
 		Noyafa NF-521 тепловизор
Produktcode: 180645 		NOYAFA Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тепловізор
Beschreibung: Тепловізор. Роздільна здатність дисплея: 320x240. Роздільна здатність ІЧ сенсора: 32x32. Частота кадрів тепловізійних зображень: 9Гц. Кут огляду, FOV: 33 °. Теплова чутливість: 150 мК. Діапазон:8 ~ 14um. Діапазон вимірювання температури: -10 °C~400 °C. Точність виміру: ± 2°C. Випромінювання регулюється від 0,1 до 0,9. Пам'ять: 8 Гб TFcard. Формат зображення BMP. Інтерфейс USB 2.0. Різні варіанти палітри зображення, автовимкнення. Акумулятор вбудований 3,7V.
Вимірювання температури: -10...+400°C
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STGIPS10K60A STGIPS10K60A
Produktcode: 124589 		ST stgips10k60a.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: SDIP-25L
Vces: small low-loss intelligent molded module, IPM, 3-phase inverter, 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD350IDT (TD350ID) TD350IDT (TD350ID)
Produktcode: 45224 		stmicroelectronics_cd00003358-1205277.pdf IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-14
Uc, V: 26 V
T on/T off, ns: 500/450 ns
Bemerkung: Advanced IGBT / MOSFET driver
auf Bestellung 113 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Осциллограф+тестер электронных компонентов DSO-TC2
+4
 		Осциллограф+тестер электронных компонентов DSO-TC2
Produktcode: 188750 		FNIRSI FNIRSI_TC2_Handheld_Digital_Oscilloscope.pdf Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Осцилографи
Beschreibung: Одноканальний осцилограф: смуга пропускання: 200Khz. Швидкість вибірки: 2,5 MS/s. Вертикальна розгортка: 10mV/Div...10V/Div. Частота: 0-80kHz. Тестер: транзисторів NPN та PNP, конденсаторів, резисторів, діодів, тріодів, N-канальних та P-канальних MOSFET, IGBT, JFET, симісторів, акумуляторів, виявлення форм інфрачервоних хвиль, стабілітрон. Дисплей: кольоровий 2,4-дюймовий екран TFT. Живлення: літієвий акумулятор/USB-C. Розмір виробу: 103x79x31мм
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Тестер полупроводников LCR-TC
+1
 		Тестер полупроводников LCR-TC
Produktcode: 188758 		FNIRSI 4A10_datasheet.pdf Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тестер напівпровідників
Beschreibung: Універсальний тестер для транзисторів NPN і PNP, конденсаторів, резисторів, діодів, тріодів, N-канальних та P-канальних MOSFET, IGBT, JFET, симісторів, акумуляторів, виявлення форм інфрачервоних хвиль, стабілітрон, функція самокалібрування. Дисплей: кольоровий 1,8-дюймовий TFT. Живлення: літієвий акумулятор. Розмір виробу: 88х80х28мм
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet 21.06.2024
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.35 EUR
25+ 2.95 EUR
28+ 2.56 EUR
30+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRG4PC30F IR description Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+12.16 EUR
10+ 11.05 EUR
LM5101AM/NOPB LM5101AM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2FLM5101A Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -3÷3A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...14V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 430ns
Pulse fall time: 260ns
Kind of package: tube
Voltage class: 100V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
19+ 3.9 EUR
20+ 3.7 EUR
25+ 3.69 EUR
95+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
LM5110-3M/NOPB LM5110-3M/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm5110 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷3A; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 25ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...3A
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.5...14V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+ 1.8 EUR
43+ 1.67 EUR
52+ 1.39 EUR
55+ 1.32 EUR
95+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 36
QA01 MORNSUN QA01.html DC/DC Converter, +80/-40mA, Vin 15V, Vout +15/-8.7V, Viso 3000VAC, EFF 80% For IGBT Driver QA01 DC QA01
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RGS60TS65DHRC11 RGS60TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGS60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 290ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 111W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.55 EUR
14+ 5.15 EUR
450+ 4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SEMIX402GAL066HDS 27891104 SEMIX402GAL066HDS 27891104 SEMIKRON DANFOSS SEMIX402GAL066HDS.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,thermistor; screw
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; thermistor
Case: SEMIX2S
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 379A
Pulsed collector current: 1.8kA
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SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMIX®13
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 225A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
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SK 50 GD 12T4 T 24914940 SK 50 GD 12T4 T 24914940 SEMIKRON DANFOSS SK50GD12T4T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: SEMITOP4
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
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SK 75 GAL 12T4 24915290 SK 75 GAL 12T4 24915290 SEMIKRON DANFOSS SK75GAL12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SEMITOP2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mechanical mounting: screw
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SKHI 10/17 R L5002256 SKHI 10/17 R L5002256 SEMIKRON DANFOSS SKHI10_17R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Mounting: PCB
Case: SEMIDRIVER
Supply voltage: 14.4...15.6V DC
Application: for medium and high power application
Operating temperature: -25...85°C
Type of module: gate driver board
Voltage class: 1.7kV
Frequency: 0.1MHz
Output current: 8A
Kind of output: IGBT driver
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SKHI 21A R L5012520 SKHI 21A R L5012520 SEMIKRON DANFOSS SKHI22BR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Mounting: PCB
Case: SEMIDRIVER
Supply voltage: 14.4...15.6V DC
Application: for medium and high power application
Operating temperature: -40...85°C
Type of module: gate driver board
Voltage class: 1.2kV
Frequency: 50kHz
Output current: 8A
Kind of output: MOSFET driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SKHI 22A H4 R L5012522 SKHI 22A H4 R L5012522 SEMIKRON DANFOSS SKHI22AH4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Mounting: PCB
Case: SEMIDRIVER
Supply voltage: 14.4...15.6V DC
Application: for medium and high power application
Operating temperature: -40...85°C
Type of module: gate driver board
Voltage class: 1.7kV
Frequency: 50kHz
Output current: 8A
Kind of output: IGBT driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SKIIP 11NAB126V1 25230010 SKIIP 11NAB126V1 25230010 SEMIKRON DANFOSS SEMIKRON_Product_Variants.pdf SKIIP11NAB126V1-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power: 4kW
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 2
SKIIP 1213GB123-2DL 20452131 SKIIP 1213GB123-2DL 20452131 SEMIKRON DANFOSS SKiiP1213GB1232DL.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Type of module: IPM
Topology: 2-pack-integrated intelligent Power System
Case: SKiiP® 3
Application: for medium and high power application
Technology: Trench
Voltage class: 1.2kV
Supply voltage: 13...30V DC
Frequency: 15kHz
Output current: 1.2kA
Kind of output: IGBT driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SKIIP 12NAB126V1 25230020 SKIIP 12NAB126V1 25230020 SEMIKRON DANFOSS SEMIKRON_Product_Variants.pdf SKIIP12NAB126V1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 22A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 22A
Power: 5.5kW
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+45.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 SEMIKRON DANFOSS SKiiP12NAB12T4V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 15A
Power: 5.5kW
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
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2+41.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKIIP 23NAB126V1 25230060 SEMIKRON DANFOSS SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 31A
Power: 7.5kW
Case: MiniSKiiP® 2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
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1+84.98 EUR
SKM100GAL12T4 22892600 SKM100GAL12T4 22892600 SEMIKRON DANFOSS SKM100GAL12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 123A
Pulsed collector current: 550A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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2+70.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SKM100GB125DN 21915390 SKM100GB125DN 21915390 SEMIKRON DANFOSS SKM100GB125DN.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SEMITRANS2N
Version: D93
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+158.04 EUR
SKM100GB12T4 22892020 SKM100GB12T4 22892020 SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+77.28 EUR
SKM100GB12V 22892023 SKM100GB12V 22892023 SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12V.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+109.35 EUR
5+ 108.27 EUR
SKM100GB176D 22890855 SKM100GB176D 22890855 SEMIKRON DANFOSS SKM100GB176D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Collector current: 75A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+113.27 EUR
SKM150GAL12T4 22892300 SEMIKRON DANFOSS SKM150GAL12T4 IGBT modules
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+97.43 EUR
SKM150GAR12T4 22892400 SKM150GAR12T4 22892400 SEMIKRON DANFOSS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+76.29 EUR
SKM150GB12T4 22892040 SKM150GB12T4 22892040 SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMITRANS2
Application: frequency changer; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+130.5 EUR
8+ 130.13 EUR
SKM150GB12V 22892043 SKM150GB12V 22892043 SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12V.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 176A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 176A
Pulsed collector current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+148.76 EUR
SKM150GB12VG 22892052 SKM150GB12VG 22892052 SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12VG.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 169A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 169A
Pulsed collector current: 774A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+190.32 EUR
SKM195GB066D 22890052 SKM195GB066D 22890052 SEMIKRON DANFOSS SKM195GB066D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+93.58 EUR
8+ 89.98 EUR
SKM200GAL125D 22890740 SKM200GAL125D 22890740 SEMIKRON DANFOSS SKM200GAL125D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; D56
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D56
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper
Case: SEMITRANS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+224.27 EUR
SKM200GB125D 22890620 SKM200GB125D 22890620 SEMIKRON DANFOSS SKM200GB125D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+332.76 EUR
IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Produktcode: 32408		 description IRG4PF50WPBF.pdf
IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 55
Ic 100: 27
Pd 25: 200
auf Bestellung 104 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.98 EUR
SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul
Produktcode: 108613		 skpiip35nab12t4v1.pdf
SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: 81,4x58,5x15,8 mm
Vces: 1200 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 69
Ic 100: 56
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 60/370
verfügbar: 2 Stück
TLP185(GB-TPR,SE)
Produktcode: 123320		 tlp185_datasheet.pdf
TLP185(GB-TPR,SE)
Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 1 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/80 mA
U ausg, V: 80 V
Ton/Toff, µs: 5/9 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
auf Bestellung 111 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet
TLP281GB-TP[F]
Produktcode: 107574		 datasheet-toshiba-opto.pdf
TLP281GB-TP[F]
Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SOP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 2.5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 80
Ton/Toff, µs: -
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
verfügbar: 498 Stück
erwartet: 1 Stück
TLP291GB-TP.SE[T
Produktcode: 100574		 tlp291-datasheet.pdf
TLP291GB-TP.SE[T
Hersteller: Toshiba
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 3,75 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/
U ausg, V: 80 V
Ton/Toff, µs: 3/3 µs
auf Bestellung 1177 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SMD-LX5050RGB-TR SMD-LX5050RGB-TR.pdf
SMD-LX5050RGB-TR
Hersteller: LUMEX
Category: SMD colour LEDs
Description: Programmable LED; SMD; 5050; RGB; 5x5x1.5mm; 120°; 5V; 5mA
Type of diode: programmable LED
Mounting: SMD
Case: 5050
LED colour: RGB
Dimensions: 5x5x1.5mm
Viewing angle: 120°
LED current: 5mA
Wavelength: 470nm; 520nm; 630nm
LED lens: transparent
Luminosity of red colour: 125mcd
Luminosity of blue colour: 50mcd
Luminosity of green colour: 270mcd
Front: flat
Operating voltage: 5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.1 EUR
116+ 0.62 EUR
145+ 0.49 EUR
184+ 0.39 EUR
195+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.76 EUR
66+ 1.09 EUR
100+ 0.72 EUR
107+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.9 EUR
43+ 1.69 EUR
51+ 1.42 EUR
54+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+2.04 EUR
39+ 1.84 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 35
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207G-DTE.pdf
SPD50N03S207GBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
72+ 1 EUR
77+ 0.94 EUR
81+ 0.89 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 65
TLP185(GB-TPL,SE(T TLP185(GB-TPL,SE(T.pdf
TLP185(GB-TPL,SE(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 80V
Case: SO6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
157+0.46 EUR
237+ 0.3 EUR
325+ 0.22 EUR
344+ 0.21 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 157
TLP292(GB-TPL.E(T TLP292.pdf
TLP292(GB-TPL.E(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V; SO4; 50mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Collector-emitter voltage: 80V
Case: SO4
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Collector current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
93+ 0.77 EUR
158+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 58
TLP293-4(V4GBTPE(T TLP293-4.pdf
TLP293-4(V4GBTPE(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; Uinsul: 3.75kV; Uce: 80V; SO16; 50mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Insulation voltage: 3.75kV
Collector-emitter voltage: 80V
Case: SO16
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Collector current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
45+1.6 EUR
51+ 1.42 EUR
65+ 1.11 EUR
69+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 45
TLP785(GB-TP6.F(C TLP785-D4-GR.F-C.pdf
TLP785(GB-TP6.F(C
Hersteller: TOSHIBA
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 80V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 80V
Case: DIP4LF6
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
122+0.59 EUR
307+ 0.23 EUR
407+ 0.18 EUR
414+ 0.17 EUR
455+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
WMGBTKF12 WMGBTKF12.PDF
WMGBTKF12
Hersteller: SONEL
Category: Phase Sequence Indicators
Description: Tester: phase sequence; 120÷690VAC; Freq: 10÷70Hz; IP42
Type of tester: phase sequence
Phase-to-phase voltage range for phase sequence indication: 120...690V AC; 120...690V AC
Operating frequency: 10...70Hz
IP rating: IP42
Conform to the norm: CAT III 600V; EN 61010
Power supply: from tested wiring system
Measuring instrument features: 760 V AC max. phase-to-phase operating voltage; indicates phase sequence; neon-LED display; operates in 10Hz...70Hz power systems; voltage indicator individual for each phase
Standard equipment: crocodile clips; set of test leads (red, black and yellow)
Body dimensions: 132x73x32mm
Weight without batteries: 162g
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+121.85 EUR
WMGBTKF12L
WMGBTKF12L
Hersteller: SONEL
Category: Phase Sequence Indicators
Description: Tester: phase sequence; 35÷690VAC; Freq: 10÷70Hz; IP42
Type of tester: phase sequence
Phase-to-phase voltage range for phase sequence indication: 35...690V AC; 35...690V AC
Operating frequency: 10...70Hz
IP rating: IP42
Conform to the norm: CAT III 600V; EN 61010
Power supply: from tested wiring system
Measuring instrument features: 760 V AC max. phase-to-phase operating voltage; indicates phase sequence; neon-LED display; operates in 10Hz...70Hz power systems; voltage indicator individual for each phase
Body dimensions: 130x72x31mm
Weight without batteries: 200g
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+153.97 EUR
WMGBTKF13 WMGBTKF13.PDF
WMGBTKF13
Hersteller: SONEL
Category: Phase Sequence Indicators
Description: Tester: phase sequence; 120÷690VAC; 2÷70Hz; IP42; -10÷45°C
Type of tester: phase sequence
Phase-to-phase voltage range for phase sequence indication: 120...690V AC; 120...690V AC
Frequency measuring range: 2...70Hz
IP rating: IP42
Power supply: battery 6F22 9V x1
Conform to the norm: CAT III 600V; EN 61010
Operating temperature: -10...45°C
Optional equipment: adapter for three phase sockets; cover
Measuring instrument features: 760 V AC max. phase-to-phase operating voltage; automatic power-off; can operate in 2Hz...70Hz wiring systems; detects magnetic fields; indicates phase sequence (direction of field rotation); indicates rotation direction of motors: by means of test leads in state without voltage, contactless during motor operation; neon-LED display
Standard equipment: 3 pointed electrodes; crocodile clips; test leads
Battery/ rechargeable battery: battery 6F22 9V x1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+209.92 EUR
AOK30B135W1; IGBT+ Diode; 30A; 1350V; 340W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AOK60B60D1; IGBT; With Diode; 60A; 600V; 417W; Корпус: TO-247; ALPHA & OMEGA
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TLP250F; (DIP-8); Оптрон; драйвер IGBT; Ток коллектора: 1,5А; Toshiba
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
YGW75N65FP; Trench Field Stop IGBT+ diode; 75A; 650V; 500W; Корпус: TO-247; LUXIN-SEMI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DSO-TC3 осциллограф FNIRSI+ тестер компонентов
Produktcode: 193898		 TC3_product_manual.pdf
DSO-TC3 осциллограф FNIRSI+ тестер компонентов
+4
Hersteller: FNIRSI
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тестер напівпровідників
Beschreibung: Одноканальний осцилограф: смуга пропускання: 500Khz. Швидкість вибірки: 10MSa/s. Вертикальна розгортка: 10mV-10V. Горизонтальна розгортка: 1µF-10s. Тестер: транзисторів NPN і PNP, конденсаторів до 100mF, резисторів до 50MOhm, діодів, тріодів, N-канальних та P-канальних MOSFET, IGBT, JFET, MIOSTET, симісторів, полярність акумуляторів (батарейок) до 4,5В. Виявлення форм інфрачервоних хвиль, DS18b20, DHT1, постійна напруга до 40V. Дисплей: кольоровий 2,4-дюймовий екран TFT. Генератор сигналів різної форми до 100KHz. Живлення: літієвий акумулятор/USB type-C. Розмір виробу: 103x79x31мм
500 kHz
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 Stück:
10 Stück - erwartet 21.06.2024
EYG-R0912ZLGD
Produktcode: 177333		 AYA0000C50-1129407.pdf
EYG-R0912ZLGD
Isoliermaterialien
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Noyafa NF-521 тепловизор
Produktcode: 180645
Noyafa NF-521 тепловизор
+6
Hersteller: NOYAFA
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тепловізор
Beschreibung: Тепловізор. Роздільна здатність дисплея: 320x240. Роздільна здатність ІЧ сенсора: 32x32. Частота кадрів тепловізійних зображень: 9Гц. Кут огляду, FOV: 33 °. Теплова чутливість: 150 мК. Діапазон:8 ~ 14um. Діапазон вимірювання температури: -10 °C~400 °C. Точність виміру: ± 2°C. Випромінювання регулюється від 0,1 до 0,9. Пам'ять: 8 Гб TFcard. Формат зображення BMP. Інтерфейс USB 2.0. Різні варіанти палітри зображення, автовимкнення. Акумулятор вбудований 3,7V.
Вимірювання температури: -10...+400°C
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STGIPS10K60A
Produktcode: 124589		 stgips10k60a.pdf
STGIPS10K60A
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: SDIP-25L
Vces: small low-loss intelligent molded module, IPM, 3-phase inverter, 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD350IDT (TD350ID)
Produktcode: 45224		 stmicroelectronics_cd00003358-1205277.pdf
TD350IDT (TD350ID)
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-14
Uc, V: 26 V
T on/T off, ns: 500/450 ns
Bemerkung: Advanced IGBT / MOSFET driver
auf Bestellung 113 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Осциллограф+тестер электронных компонентов DSO-TC2
Produktcode: 188750		 FNIRSI_TC2_Handheld_Digital_Oscilloscope.pdf
Осциллограф+тестер электронных компонентов DSO-TC2
+4
Hersteller: FNIRSI
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Осцилографи
Beschreibung: Одноканальний осцилограф: смуга пропускання: 200Khz. Швидкість вибірки: 2,5 MS/s. Вертикальна розгортка: 10mV/Div...10V/Div. Частота: 0-80kHz. Тестер: транзисторів NPN та PNP, конденсаторів, резисторів, діодів, тріодів, N-канальних та P-канальних MOSFET, IGBT, JFET, симісторів, акумуляторів, виявлення форм інфрачервоних хвиль, стабілітрон. Дисплей: кольоровий 2,4-дюймовий екран TFT. Живлення: літієвий акумулятор/USB-C. Розмір виробу: 103x79x31мм
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Тестер полупроводников LCR-TC
Produktcode: 188758		 4A10_datasheet.pdf
Тестер полупроводников LCR-TC
+1
Hersteller: FNIRSI
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Тестер напівпровідників
Beschreibung: Універсальний тестер для транзисторів NPN і PNP, конденсаторів, резисторів, діодів, тріодів, N-канальних та P-канальних MOSFET, IGBT, JFET, симісторів, акумуляторів, виявлення форм інфрачервоних хвиль, стабілітрон, функція самокалібрування. Дисплей: кольоровий 1,8-дюймовий TFT. Живлення: літієвий акумулятор. Розмір виробу: 88х80х28мм
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet 21.06.2024
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.35 EUR
25+ 2.95 EUR
28+ 2.56 EUR
30+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRG4PC30F description
Hersteller: IR
Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.16 EUR
10+ 11.05 EUR
LM5101AM/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2FLM5101A
LM5101AM/NOPB
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -3÷3A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...14V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 430ns
Pulse fall time: 260ns
Kind of package: tube
Voltage class: 100V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+5.98 EUR
19+ 3.9 EUR
20+ 3.7 EUR
25+ 3.69 EUR
95+ 3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12
LM5110-3M/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm5110
LM5110-3M/NOPB
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷3A; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 25ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...3A
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 3.5...14V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+1.99 EUR
40+ 1.8 EUR
43+ 1.67 EUR
52+ 1.39 EUR
55+ 1.32 EUR
95+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 36
QA01 QA01.html
Hersteller: MORNSUN
DC/DC Converter, +80/-40mA, Vin 15V, Vout +15/-8.7V, Viso 3000VAC, EFF 80% For IGBT Driver QA01 DC QA01
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RGS60TS65DHRC11 datasheet?p=RGS60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS60TS65DHRC11
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 290ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 111W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.55 EUR
14+ 5.15 EUR
450+ 4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SEMIX402GAL066HDS 27891104 SEMIX402GAL066HDS.pdf
SEMIX402GAL066HDS 27891104
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,thermistor; screw
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; thermistor
Case: SEMIX2S
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 379A
Pulsed collector current: 1.8kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+123.77 EUR
SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIX71GD12E4S.pdf
SEMIX71GD12E4S 27890190
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMIX®13
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 225A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SK 50 GD 12T4 T 24914940 SK50GD12T4T.pdf
SK 50 GD 12T4 T 24914940
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: SEMITOP4
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+113.08 EUR
SK 75 GAL 12T4 24915290 SK75GAL12T4.pdf
SK 75 GAL 12T4 24915290
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SEMITOP2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SKHI 10/17 R L5002256 SKHI10_17R.pdf
SKHI 10/17 R L5002256
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Mounting: PCB
Case: SEMIDRIVER
Supply voltage: 14.4...15.6V DC
Application: for medium and high power application
Operating temperature: -25...85°C
Type of module: gate driver board
Voltage class: 1.7kV
Frequency: 0.1MHz
Output current: 8A
Kind of output: IGBT driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+226.21 EUR
SKHI 21A R L5012520 SKHI22BR.pdf
SKHI 21A R L5012520
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Mounting: PCB
Case: SEMIDRIVER
Supply voltage: 14.4...15.6V DC
Application: for medium and high power application
Operating temperature: -40...85°C
Type of module: gate driver board
Voltage class: 1.2kV
Frequency: 50kHz
Output current: 8A
Kind of output: MOSFET driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+309.34 EUR
SKHI 22A H4 R L5012522 SKHI22AH4.pdf
SKHI 22A H4 R L5012522
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Mounting: PCB
Case: SEMIDRIVER
Supply voltage: 14.4...15.6V DC
Application: for medium and high power application
Operating temperature: -40...85°C
Type of module: gate driver board
Voltage class: 1.7kV
Frequency: 50kHz
Output current: 8A
Kind of output: IGBT driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+176.86 EUR
12+ 175.89 EUR
SKIIP 11NAB126V1 25230010 SEMIKRON_Product_Variants.pdf SKIIP11NAB126V1-DTE.pdf
SKIIP 11NAB126V1 25230010
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power: 4kW
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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SKIIP 1213GB123-2DL 20452131 SKiiP1213GB1232DL.pdf
SKIIP 1213GB123-2DL 20452131
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Type of module: IPM
Topology: 2-pack-integrated intelligent Power System
Case: SKiiP® 3
Application: for medium and high power application
Technology: Trench
Voltage class: 1.2kV
Supply voltage: 13...30V DC
Frequency: 15kHz
Output current: 1.2kA
Kind of output: IGBT driver
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SKIIP 12NAB126V1 25230020 SEMIKRON_Product_Variants.pdf SKIIP12NAB126V1.pdf
SKIIP 12NAB126V1 25230020
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 22A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 22A
Power: 5.5kW
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
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SKIIP 12NAB12T4V1 25231440 SKiiP12NAB12T4V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf
SKIIP 12NAB12T4V1 25231440
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 15A
Power: 5.5kW
Case: MiniSKiiP® 1
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+41.03 EUR
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SKIIP 23NAB126V1 25230060 SKiiP23NAB126V1.pdf SEMIKRON_Product_Variants.pdf
SKIIP 23NAB126V1 25230060
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 31A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 31A
Power: 7.5kW
Case: MiniSKiiP® 2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SKM100GAL12T4 22892600 SKM100GAL12T4.pdf
SKM100GAL12T4 22892600
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 123A
Pulsed collector current: 550A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+70.64 EUR
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SKM100GB125DN 21915390 SKM100GB125DN.pdf
SKM100GB125DN 21915390
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SEMITRANS2N
Version: D93
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1+158.04 EUR
SKM100GB12T4 22892020 SKM100GB12T4.pdf
SKM100GB12T4 22892020
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1+77.28 EUR
SKM100GB12V 22892023 SKM100GB12V.pdf
SKM100GB12V 22892023
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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5+ 108.27 EUR
SKM100GB176D 22890855 SKM100GB176D.pdf
SKM100GB176D 22890855
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Collector current: 75A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
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1+113.27 EUR
SKM150GAL12T4 22892300
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAL12T4 IGBT modules
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SKM150GAR12T4 22892400
SKM150GAR12T4 22892400
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
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1+76.29 EUR
SKM150GB12T4 22892040 SKM150GB12T4.pdf
SKM150GB12T4 22892040
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: SEMITRANS2
Application: frequency changer; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+130.5 EUR
8+ 130.13 EUR
SKM150GB12V 22892043 SKM150GB12V.pdf
SKM150GB12V 22892043
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 176A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 176A
Pulsed collector current: 900A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+148.76 EUR
SKM150GB12VG 22892052 SKM150GB12VG.pdf
SKM150GB12VG 22892052
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 169A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 169A
Pulsed collector current: 774A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+190.32 EUR
SKM195GB066D 22890052 SKM195GB066D.pdf
SKM195GB066D 22890052
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+93.58 EUR
8+ 89.98 EUR
SKM200GAL125D 22890740 SKM200GAL125D.pdf
SKM200GAL125D 22890740
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; D56
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D56
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper
Case: SEMITRANS3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+224.27 EUR
SKM200GB125D 22890620 SKM200GB125D.pdf
SKM200GB125D 22890620
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A
Application: for UPS; frequency changer; Inverter; photovoltaics
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+332.76 EUR
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