GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-263-7, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V.
Weitere Produktangebote GC05MPS33J nach Preis ab 44.66 EUR bis 57.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| GC05MPS33J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V |
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