GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: MPS, Case: TO220-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 44A, Max. forward voltage: 1.25V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote GE10MPS06A nach Preis ab 6.09 EUR bis 8.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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GE10MPS06A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M |
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| GE10MPS06A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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GE10MPS06A | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 44A Max. forward voltage: 1.25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GE10MPS06A | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 44A Max. forward voltage: 1.25V |
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