GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GE10MPS06E | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 GE10MPS06E SMD Schottky diodes |
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| GE10MPS06E | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
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