GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Weitere Produktangebote GE2X10MPS06D nach Preis ab 5.86 EUR bis 11.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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| GE2X10MPS06D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 GE2X10MPS06D THT Schottky diodes |
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| GE2X10MPS06D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GE2X10MPS06D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
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