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GF1K-E3/67A

GF1K-E3/67A Vishay


gf1.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R
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Technische Details GF1K-E3/67A Vishay

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

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GF1K-E3/67A GF1K-E3/67A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
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Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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GF1K-E3/67A GF1K-E3/67A Hersteller : Vishay General Semiconductor gf1x.pdf Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
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GF1K-E3/67A GF1K-E3/67A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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GF1K-E3/67A GF1K-E3/67A Hersteller : Vishay gf1.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-214BA T/R
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GF1K-E3/67A Hersteller : VISHAY gf1x.pdf GF1K-E3/67A SMD universal diodes
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