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GI750-E3/54

GI750-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

gi750.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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Technische Details GI750-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.

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GI750-E3/54 GI750-E3/54 Hersteller : Vishay General Semiconductor gi750.pdf Rectifiers 6 Amp 50 Volt 400 Amp IFSM
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GI750-E3/54 GI750-E3/54 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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