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GI750-E3/73

GI750-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

gi750.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
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Technische Details GI750-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - GI750-E3/73 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 6 A, Einfach, 900 mV, 2.5 µs, 400 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: P600, Durchlassstoßstrom: 400A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 900mV, Sperrverzögerungszeit: 2.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: GI750, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote GI750-E3/73 nach Preis ab 1.21 EUR bis 2.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GI750-E3/73 GI750-E3/73 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
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GI750-E3/73 GI750-E3/73 Hersteller : Vishay General Semiconductor gi750.pdf Rectifiers 6 Amp 50 Volt 400 Amp IFSM
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27+ 1.98 EUR
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GI750-E3/73 GI750-E3/73 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001814942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - GI750-E3/73 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 6 A, Einfach, 900 mV, 2.5 µs, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: P600
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: GI750
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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GI750-E3/73 GI750-E3/73 Hersteller : Vishay Semiconductors gi750-240278.pdf Rectifiers 6 Amp 50 Volt 400 Amp IFSM
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