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GL41B-E3/96

GL41B-E3/96 Vishay

bym10-xxx.pdf Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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Technische Details GL41B-E3/96 Vishay

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.

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GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Hersteller : Vishay bym10-xxx.pdf Rectifier Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
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GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Hersteller : VISHAY bym10-xxx.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Case: DO213AB
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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345+ 0.21 EUR
385+ 0.19 EUR
440+ 0.16 EUR
465+ 0.15 EUR
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GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Hersteller : VISHAY bym10-xxx.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Case: DO213AB
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
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GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
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112+ 0.47 EUR
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GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
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