HER307G R0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details HER307G R0G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125, Durchlassspannung Vf max.: 1.7, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 75, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7, Sperrverzögerungszeit: 75, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote HER307G R0G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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HER307G R0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125 Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 75 Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7 Sperrverzögerungszeit: 75 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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HER307G R0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
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HER307G R0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 3A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier |
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