HER308G YANGJIE TECHNOLOGY
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 195+ | 0.37 EUR |
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Technische Details HER308G YANGJIE TECHNOLOGY
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote HER308G nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HER308G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HER308G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HER308G | Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HER308G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 110-124 Tag (e) |
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HER308G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HER308G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 16660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HER308G | Hersteller : Yangjie Electronic Technology |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-27 |
auf Bestellung 48750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HER308G | Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Imp & Exp.Co.Ltd |
HER308 3.0A 1000V DO-27 |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HER308G Produktcode: 186358 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
Produkt ist nicht verfügbar
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| HER308G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD |
Produkt ist nicht verfügbar |