HER603G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 A
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details HER603G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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HER603G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HER603G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Rectifiers 50ns, 6A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |