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HFA08TB120S IR


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Technische Details HFA08TB120S IR

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

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HFA08TB120S Hersteller : IR HFA08TB120S.pdf 07+ TO-263
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HFA08TB120S HFA08TB120S Hersteller : Vishay 93043.pdf Rectifier Diode Switching 8A 95ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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HFA08TB120S HFA08TB120S Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA08TB120S.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
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