HFA3046BZ Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 5 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
Description: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 5 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 28.68 EUR |
10+ | 25.26 EUR |
100+ | 21.84 EUR |
500+ | 19.8 EUR |
1000+ | 18.16 EUR |
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Technische Details HFA3046BZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HFA3046BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 12 V, 34 mA, 150 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 14Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Fünffach NPN, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 34mA.
Weitere Produktangebote HFA3046BZ nach Preis ab 18.28 EUR bis 28.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HFA3046BZ | Hersteller : Renesas / Intersil | RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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HFA3046BZ | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - HFA3046BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 12 V, 34 mA, 150 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 14Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Fünffach NPN Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 34mA |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HFA3046BZ | Hersteller : Intersil |
Pb-Free W/Anneal TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR 14SOIC HFA3 ITSHFA3046B Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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HFA3046BZ | Hersteller : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x5; bipolar; RF; 12V; 37mA; 150mW; SO14 Mounting: SMD Case: SO14 Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN x5 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Frequency: 8GHz Current gain: 130 Kind of transistor: RF Collector current: 37mA Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HFA3046BZ | Hersteller : RENESAS |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x5; bipolar; RF; 12V; 37mA; 150mW; SO14 Mounting: SMD Case: SO14 Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN x5 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Frequency: 8GHz Current gain: 130 Kind of transistor: RF Collector current: 37mA |
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