HGTG11N120CND ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 22A; 298W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 22A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details HGTG11N120CND ONSEMI
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns, Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 43 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.
Weitere Produktangebote HGTG11N120CND nach Preis ab 6.42 EUR bis 13.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HGTG11N120CND | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGTG11N120CND | Hersteller : ON-Semicoductor |
43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HGTG11N120CND | Hersteller : ON-Semicoductor |
43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HGTG11N120CND Produktcode: 63369 |
Hersteller : FAIR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 1200 Vce: 2,1 Ic 25: 43 Ic 100: 22 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/180 |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HGTG11N120CND | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |