HGTG12N60C3D ON Semiconductor
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Technische Details HGTG12N60C3D ON Semiconductor
Description: UFS SERIES N-CH IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off), Gate Charge: 48 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 24 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 104 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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HGTG12N60C3D | Hersteller : Harris Corporation |
 Description: UFS SERIES N-CH IGBTPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W |
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HGTG12N60C3D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG12N60C3D TO-247 Produktcode: 109889 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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HGTG12N60C3D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| HGTG12N60C3D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HGTG12N60C3D | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 24A 104W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W |
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