HGTG30N60B3D ON-Semicoductor
Hersteller: ON-Semicoductor60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
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Technische Details HGTG30N60B3D ON-Semicoductor
Description: IGBT 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns, Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off), Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A, Power - Max: 208 W.
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Preis ohne MwSt |
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HGTG30N60B3D Produktcode: 95788 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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HGTG30N60B3D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG30N60B3D | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
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HGTG30N60B3D | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel |
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