Produkte > ON SEMICONDUCTOR > HGTG30N60C3D
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D ON Semiconductor


hgtg30n60c3d-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+9.24 EUR
44+ 8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details HGTG30N60C3D ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 63A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off), Gate Charge: 162 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A, Power - Max: 208 W.

Weitere Produktangebote HGTG30N60C3D nach Preis ab 8.71 EUR bis 16.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Hersteller : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+9.99 EUR
44+ 8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 16
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 7133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+16.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Hersteller : ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Hersteller : onsemi hgtg30n60c3d-d.pdf Description: IGBT 600V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Hersteller : onsemi / Fairchild HGTG30N60C3D_D-1810215.pdf IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
Produkt ist nicht verfügbar