HGTG40N60A4 ON Semiconductor
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Technische Details HGTG40N60A4 ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 75A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns, Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 350 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 625 W.
Weitere Produktangebote HGTG40N60A4 nach Preis ab 27.73 EUR bis 27.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| HGTG40N60A4 | Hersteller : ON-Semicoductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 HGTG40N60A4 THGTG40n60a4Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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HGTG40N60A4 Produktcode: 47773 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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HGTG40N60A4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG40N60A4 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 350 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 625 W |
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HGTG40N60A4 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 350 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 625 W |
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HGTG40N60A4 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series |
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