HUF75545P3 ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 24+ | 3.09 EUR |
| 27+ | 2.72 EUR |
| 31+ | 2.36 EUR |
| 33+ | 2.23 EUR |
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Technische Details HUF75545P3 ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Weitere Produktangebote HUF75545P3 nach Preis ab 1.55 EUR bis 6.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HUF75545P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 73A Power dissipation: 270W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET |
auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
auf Bestellung 2934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75545P3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
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