HUF75645S3ST onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 800+ | 4.62 EUR |
| 1600+ | 3.96 EUR |
| 2400+ | 3.72 EUR |
| 5600+ | 3.55 EUR |
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Technische Details HUF75645S3ST onsemi
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote HUF75645S3ST nach Preis ab 3.85 EUR bis 7.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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HUF75645S3ST | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET |
auf Bestellung 12652 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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HUF75645S3ST | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V |
auf Bestellung 19150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HUF75645S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75645S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UltraFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75645S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UltraFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75645S3ST | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 238nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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