IGW08T120 Infineon Technologies
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| 100+ | 6.27 EUR |
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| 480+ | 4.5 EUR |
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Technische Details IGW08T120 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3; single transistor, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 8A, Power dissipation: 70W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single transistor.
Weitere Produktangebote IGW08T120
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IGW08T120 | Hersteller : Rochester Electronics, LLC |
 Description: IGW08T120 - DISCRETE IGBT WITHOU |
auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IGW08T120 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3; single transistor Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 8A Power dissipation: 70W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor |
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