IGW60T120FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW60T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/480ns, Switching Energy: 9.5mJ, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 280 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote IGW60T120FKSA1 nach Preis ab 5.37 EUR bis 19.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGW60T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW60T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW60T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/480ns Switching Energy: 9.5mJ Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 280 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 375 W |
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IGW60T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A |
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IGW60T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW60T120FKSA1 - IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW60T120FKSA1 | Hersteller : Infineon |
IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW60T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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