Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R065C7XKSA1
IPA65R065C7XKSA1

IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+20.1 EUR
10+ 17.24 EUR
100+ 14.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V.

Weitere Produktangebote IPA65R065C7XKSA1 nach Preis ab 11.08 EUR bis 20.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPA65R065C7_DataSheet_v02_01_EN-3362106.pdf MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+20.51 EUR
10+ 17.58 EUR
25+ 15.18 EUR
100+ 13.91 EUR
250+ 13.88 EUR
500+ 12.87 EUR
1000+ 11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa65r065c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa65r065c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipa65r065c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar