Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N04S303ATMA1
IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies


IPx100N04S3-03.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W, Power dissipation: 214W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 110nC, Technology: OptiMOS™ T, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, On-state resistance: 2.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote IPB100N04S303ATMA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N04S303.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPx100N04S3-03.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Produkt ist nicht verfügbar
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPx100N04S3-03.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Produkt ist nicht verfügbar
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N04S303.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar