IPB120P04P404ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 885 Stücke:
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Technische Details IPB120P04P404ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPB120P04P404ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 136W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -110A; 136W Mounting: SMD Case: PG-TO263-3-2 Drain current: -110A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Pulsed drain current: -480A Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS® -P2 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V |
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IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V |
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IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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| IPB120P04P404ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -110A; 136W Mounting: SMD Case: PG-TO263-3-2 Drain current: -110A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Pulsed drain current: -480A Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS® -P2 |
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