IPB50R250CPATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPB50R250CPATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 13A, Power dissipation: 114W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.25Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPB50R250CPATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 114W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPB50R250CPATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3 |
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IPB50R250CPATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 114W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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