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IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies


ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS15018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S408ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd50n04s4-08_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Produkt ist nicht verfügbar
IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3-313
Power dissipation: 46W
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS® -T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.9mΩ
Drain current: 47A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IPD50N04S408ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 47A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3-313
Power dissipation: 46W
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS® -T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.9mΩ
Drain current: 47A
Polarisation: unipolar
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