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IPP200N25N3GXKSA1

IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I_200N25N3_G_DataSheet_v02_05_EN-3362602.pdf MOSFET N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i_200n25n3_g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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