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IPS70R900P7SAKMA1

IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies


95infineon-ips70r900p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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Technische Details IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm.

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IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPS70R900P7S_DS_v02_01_EN-3362520.pdf MOSFET CONSUMER
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IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPS70R900P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fcb070d5e Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
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75+ 1.38 EUR
150+ 1 EUR
525+ 0.83 EUR
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IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 Hersteller : INFINEON 2577580.pdf Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
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IPS70R900P7SAKMA1
Produktcode: 156248
Infineon-IPS70R900P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fcb070d5e Transistoren > MOSFET N-CH
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IPS70R900P7SAKMA1 IPS70R900P7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies 95infineon-ips70r900p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a0158c.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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