IRF1407PBF

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irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 24062
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
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Technische Details IRF1407PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:130A
  • On State Resistance:0.0078ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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56+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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5000+ 0.88 EUR
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : International Rectifier IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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237+3.05 EUR
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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50+ 5.07 EUR
100+ 4.17 EUR
500+ 3.53 EUR
1000+ 2.99 EUR
2000+ 2.84 EUR
5000+ 2.74 EUR
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1407_DataSheet_v01_01_EN-3363080.pdf MOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
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500+ 3.56 EUR
1000+ 2.99 EUR
2000+ 2.86 EUR
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1407PBF IRF1407PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf1407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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Präzision: ±5% J
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U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 9644 Stück
erwartet: 40000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR
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10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
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10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
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Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 13320 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L)
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L)
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Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
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Part Nummer: R15W104K2AH5-L
№ 8: 8532 24 00 00
auf Bestellung 3770 Stück:
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erwartet 5000 Stück:
5000 Stück - erwartet 08.06.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.06 EUR
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MUR1520
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description MUR1520PBF.pdf
MUR1520
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
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auf Bestellung 13649 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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