IRF1407PBF
Produktcode: 24062
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar 160 Stück:
2 Stück - stock Köln
158 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.04 EUR |
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Technische Details IRF1407PBF IR
- MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:130A
- On State Resistance:0.0078ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:75V
- On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
- Power Dissipation:330W
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:520A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF1407PBF nach Preis ab 0.81 EUR bis 6.37 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF1407PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11952 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC |
auf Bestellung 1583 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm |
auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1407PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1722 |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 9644 Stück
erwartet:
40000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0038 EUR |
100+ | 0.0024 EUR |
1000+ | 0.0017 EUR |
10 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 17834 |
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 13320 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0048 EUR |
100+ | 0.004 EUR |
1000+ | 0.0034 EUR |
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L) Produktcode: 18267 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15W104K2AH5-L
№ 8: 8532 24 00 00
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15W104K2AH5-L
№ 8: 8532 24 00 00
auf Bestellung 3770 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 5000 Stück:
5000 Stück - erwartet 08.06.2024Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.06 EUR |
MUR1520 Produktcode: 22238 |
Hersteller: MOT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AC
Vrr, V: 200
Iav, A: 15
Trr, ns: 35
Austauschbar:: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AC
Vrr, V: 200
Iav, A: 15
Trr, ns: 35
Austauschbar:: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13649 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |