IRF200B211 Infineon Technologies
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Technische Details IRF200B211 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm.
Weitere Produktangebote IRF200B211 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF200B211 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm |
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IRF200B211 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| IRF200B211 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 170mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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| IRF200B211 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 170mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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