IRF350

IRF350 NTE Electronics, Inc


IRF350.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
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Technische Details IRF350 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF350 Hersteller : NTE Electronics, Inc. IRF350.pdf MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
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IRF350
Produktcode: 23682
Hersteller : IR jantx2n6768.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Uds,V: 400 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
JHGF: THT
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IRF350 IRF350 Hersteller : Infineon / IR IRF350.pdf MOSFET 400V Single N-Channel Hi-Rel
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