IRF3710PBF
Produktcode: 43009
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar 872 Stück:
5 Stück - stock Köln
867 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.7 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
auf Bestellung 4459 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6849 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation | TO-220AB |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF 3710PBF | Hersteller : IR | 09+ TSOP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L) Produktcode: 8246 |
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
verfügbar: 47302 Stück
erwartet:
100000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.02 EUR |
HU-2 (HU-02, KLS1-2,54-02-H) Produktcode: 116608 |
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Гніздо на кабель під пайку, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, (без контактів)
Stecker/Buchse: Гніздо
Anzahl Kontakte: 2
2,54 mm
Серія роз’єма: HU
Монтаж: на провід
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Гніздо на кабель під пайку, 2 контакти, крок 2,54мм, 3А, 250VAC, (без контактів)
Stecker/Buchse: Гніздо
Anzahl Kontakte: 2
2,54 mm
Серія роз’єма: HU
Монтаж: на провід
auf Bestellung 9015 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF5210PBF Produktcode: 113380 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 80 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 41304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)470uF 16V ECR 8x12mm (ECR471M16B-Hitano) Produktcode: 2938 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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