Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF3808PBF
IRF3808PBF

IRF3808PBF

irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
Produktcode: 33009
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF3808PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:140A
  • On State Resistance:0.007ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:550A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Weitere Produktangebote IRF3808PBF nach Preis ab 1.72 EUR bis 6.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 178000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.62 EUR
31+ 2.36 EUR
40+ 1.82 EUR
42+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+2.62 EUR
31+ 2.36 EUR
40+ 1.82 EUR
42+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+2.82 EUR
68+ 2.25 EUR
100+ 2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+6.14 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.29 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.04 EUR
2000+ 2.91 EUR
5000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+6.42 EUR
50+ 5.16 EUR
100+ 4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : INFINEON 2043044.pdf Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF3808/PBF Hersteller : IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRF3808PBF IRF3808PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar

Mit diesem Produkt kaufen

STP100N6F7
Produktcode: 113452		 stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF1407PBF
Produktcode: 24062		 description irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 160 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.04 EUR
IRF1405PBF
Produktcode: 27155		 IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 01.05.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
10+ 1.54 EUR
3.5mm Stereo-Stecker vergoldet Sennheiser
Produktcode: 102370
3.5mm Stereo-Stecker vergoldet Sennheiser
Hersteller: Sennheiser
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Audio, Video (außer HDMI, DVI)
Stecker oder Steckdose: Stecker
Beschreibung: 3.5 Stereo-Stecker
№ 4: Jack 3,5 mm
Монтаж: на кабель
Вид роз’ємів: тато
auf Bestellung 223 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano)
Produktcode: 3138		 ECR_081225.pdf
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 8936 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.014 EUR
1000+ 0.011 EUR