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IRF520NPBF

IRF520NPBF

Infineon-IRF520N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Produktcode: 55824
Hersteller:
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: THT
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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44+1.63 EUR
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF520N_DataSheet_v01_01_EN-3362783.pdf MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF IRF520NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf520n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF520NPBF Hersteller : IR irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Транз. Пол. N-канал, TO-220, 9.7 А, 100 В, 48 Вт
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Produktcode: 31024		 2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.045 EUR
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Produktcode: 156292		 irf520pbf-datasheet.pdf
IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 59 Stück:
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erwartet 200 Stück:
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
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auf Bestellung 40511 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LM393N
Produktcode: 1983		 LM193,293,A,393,Y,2903,Q.pdf
LM393N
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IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Anzahl Kanale: 2; U-Strom, V: 4…30; tз, нс: 300; Typ-Ausgang: OK/OC; Uсм, мV: 5; I-verbr., mA: 1;
Udss,V: 4...30 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: 0...+70°C
Produkt ist nicht verfügbar
0 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1748		 RC_series.pdf
0 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 0 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
№ 8: 8533210000
verfügbar: 37688 Stück
erwartet: 60000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10