IRF530A ON Semiconductor
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Technische Details IRF530A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF530A nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF530A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET TO-220 N-Ch A-FET |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF530A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF530A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -888 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF530A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V |
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