IRF540ZLPBF Infineon Technologies
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| 139+ | 1.14 EUR |
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Technische Details IRF540ZLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.021 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Weitere Produktangebote IRF540ZLPBF nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 3324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC |
auf Bestellung 1356 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF540ZLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.021 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
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IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF540ZLPBF | Hersteller : Infineon |
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