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IRF610PBF

IRF610PBF

packaging.pdf
Produktcode: 33443
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 03.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140
JHGF: THT
verfügbar 15 Stück:
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Analogon IRF610PBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Produktcode: 156293 		Hersteller : Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Produktcode: 156293 		Hersteller : Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
JHGF: THT
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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251+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 251
IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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221+0.72 EUR
251+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 221
IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 307 Stücke:
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171+0.92 EUR
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+1 EUR
172+ 0.42 EUR
212+ 0.34 EUR
225+ 0.32 EUR
250+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 307 Stücke:
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129+1.23 EUR
171+ 0.89 EUR
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 5675 Stücke:
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28+1.91 EUR
38+ 1.39 EUR
100+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 28
IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 23817 Stücke:
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13+2.16 EUR
50+ 1.78 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.92 EUR
2000+ 0.82 EUR
5000+ 0.78 EUR
10000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013187853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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IRF610PBF Hersteller : Vishay/IR packaging.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+3.72 EUR
10+ 3.21 EUR
100+ 2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF610PBF Hersteller : Vishay/IR packaging.pdf MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
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IRF610PBF IRF610PBF Hersteller : Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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